招へい教員（新屋ひかり、吉田博、福島鉄也、真砂啓）プレスリリース
2025.01.10
招へい教員（新屋ひかり、吉田博、福島鉄也、真砂啓）プレスリリース
磁場履歴を記憶できる新たな巨大抵抗変化メモリ素子を実現 ―磁場でも制御可能なメモリスタの開拓―
招へい教員（新屋ひかり、吉田博、福島鉄也、真砂啓）大阪大学、東京大学、産業技術総合研究所、広島大学、海洋研究開発機構との共同研究成果「磁場履歴を記憶できる新たな巨大抵抗変化メモリ素子を実現 ―磁場でも制御可能なメモリスタの開拓―」がプレスリリースされ、いくつかのマスコミで報道されました。
<プレスリリース>
磁場履歴を記憶できる新たな巨大抵抗変化メモリ素子を実現 ―磁場でも制御可能なメモリスタの開拓―
https://www.t.u-tokyo.ac.jp/press/pr2025-01-10-001
<マスコミ、メディア報道>
日本の研究.comニュース 2025/1/10
磁場履歴を記憶できる新たな巨大抵抗変化メモリ素子を実現 ―磁場でも制御可能なメモリスタの開拓―
https://research-er.jp/articles/view/140676
日本経済新聞 2025/1/10
東大・産総研・広島大・海洋研究開発機構、磁場履歴を記憶できる新たな巨大抵抗変化メモリ素子を実現
https://www.nikkei.com/article/DGXZRSP684959_Z00C25A1000000/